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VBM2201K实物图
  • VBM2201K商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBM2201K

VBM2201K

描述
TO220;P—Channel沟道,-200V;-5A;RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-2~-4V;是一款采用Trench技术高性能单P型场效应晶体管,适用于工业电源模块、汽车电子模块等领域和模块。
商品型号
VBM2201K
商品编号
C42412456
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品特性

  • 超级沟槽技术功率MOSFET
  • 出色的栅极电荷与Rds(on)乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻Rds(on)
  • 100%进行Rg和UIS测试

应用领域

  • DC/DC原边开关-电信/服务器-电机驱动控制-同步整流

数据手册PDF