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VBM2104N
VBM2104N
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-100V；-50A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款采用Trench技术单P型MOSFET器件，适用于电源管理、电机驱动和功率开关等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2104N
- 商品编号
- C42412462
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电源开关-DC/DC 转换器