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VBI1314
N沟道 耐压:30V 电流:8.7A
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- 描述
- SOT89-3；N—Channel沟道,30V；8.1A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款采用Trench技术单N型MOSFET，该产品适用于低功率高频电路控制和开关应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBI1314
- 商品编号
- C42412483
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
~~- 沟槽功率MOSFET-热增强型DFN3X3封装-低导通电阻,实现低压降-符合RoHS标准-无卤