- 引脚图
- 焊盘图
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VBGE1603
N沟道 60V 120A
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款单N型MOSFET，采用SGT技术制造，适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域，可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中，以实现稳定的能量转换和高性能输出。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGE1603
- 商品编号
- C42412492
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 8.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温150°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交直流开关电源
- 照明
- 同步整流
- 直流-直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流-交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器