- 引脚图
- 焊盘图
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VBQF1695
VBQF1695
- 描述
- QFN8(3X3)；N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款采用Trench技术单极性N型MOSFET，适用于便携式设备、智能传感器等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1695
- 商品编号
- C42412497
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 低热阻封装,尺寸小,高度仅 1.07 mm
应用领域
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器
- D 类放大器