- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBQF1104N
VBQF1104N
- 描述
- QFN8(3X3),N—Channel沟道,100V,21A,RDS(ON)=36mΩ@10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用Trench技术单通道N型功率MOSFET，适用于便携式电子产品、小型家电控制器等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1104N
- 商品编号
- C42412516
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 极低的Qgd,可降低开关损耗
- 100%进行Rg测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关-N沟道MOSFET