VBW1152N
VBW1152N
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO3P；N—Channel沟道,150V；90A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；是一款采用Trench技术单N沟道MOSFET，适用于高性能电源系统、工业电机驱动等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBW1152N
- 商品编号
- C42412523
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-隔离式DC/DC转换器