- 引脚图
- 焊盘图
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VBN1204N
VBN1204N
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,200V；40A；RDS(ON)=43mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用Trench技术单晶N沟道场效应管，适用于高功率电源模块、电动汽车控制器等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBN1204N
- 商品编号
- C42412530
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 166W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-电源-照明系统