VBN1206N

VBN1206N

描述

TO262；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=53mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=2~4.5V；是一款采用Trench技术高性能的单N沟道场效应晶体管，适用于电源模块、电动汽车模块等领域和模块。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

VBN1206N

商品编号

C42412532

商品封装

TO-262​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)