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VBN1206N
VBN1206N
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=53mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=2~4.5V；是一款采用Trench技术高性能的单N沟道场效应晶体管，适用于电源模块、电动汽车模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBN1206N
- 商品编号
- C42412532
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电源
- 照明系统