- 引脚图
- 焊盘图
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VBGL1201N
VBGL1201N
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,100V；140A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款单N型MOSFET，采用SGT技术，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGL1201N
- 商品编号
- C42412528
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 超结沟槽(SGT)技术功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 最高结温150°C
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器