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VBGL1201N
VBGL1201N
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,100V；140A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款单N型MOSFET，采用SGT技术，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGL1201N
- 商品编号
- C42412528
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 超结沟槽(SGT)技术功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 最高结温150°C
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器