VBP1202N
VBP1202N
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- 描述
- TO247；N—Channel沟道,200V；96A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；是一款采用Trench技术单极N型MOSFET，适用于工业电力模块、电动车充电桩等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP1202N
- 商品编号
- C42412529
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 雷电功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交直流开关电源
- 照明
- 同步整流
- 直流-直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流-交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器