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VBM1152N
VBM1152N
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,150V；70A；RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N型MOSFET，应用于电源开关模块、汽车电子等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1152N
- 商品编号
- C42412524
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器