- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBQF1154N
N沟道 150V 25.5A
- 描述
- QFN8(3X3),N—Channel沟道,150V,25.5A,RDS(ON)=35mΩ@10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单通道N型MOS场效应管，适用于电动工具控制模块、LED照明驱动模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1154N
- 商品编号
- C42412526
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 雷神技术优化了 RDS(on)、Qg、Qsw 和 Qoss 的平衡
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 初级侧开关
- 同步整流
- DC/DC 转换器
- 电机驱动控制
- 负载开关