- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBQF3101M
VBQF3101M
- 描述
- QFN8(3X3)；2个N—Channel沟道100V；12.1A；RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；是一款采用Trench技术双N+N型功率MOSFET，适用于智能家居控制模块、便携式医疗设备等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF3101M
- 商品编号
- C42412517
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 71mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 73pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 直流-直流转换
- 初级侧开关
- 同步整流
- 工业应用
- 48V电池监测
- LED驱动器