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VBQF3101M
VBQF3101M
- 描述
- QFN8(3X3)；2个N—Channel沟道100V；12.1A；RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；是一款采用Trench技术双N+N型功率MOSFET，适用于智能家居控制模块、便携式医疗设备等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF3101M
- 商品编号
- C42412517
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器