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VB3102M
N沟道 耐压:100V 电流:2A
- 描述
- SOT23-6，2个N—Channel沟道,100V；2A；RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V；是一款双N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB3102M
- 商品编号
- C42412518
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
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