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VBGQT11202
VBGQT11202
- 描述
- TOLL；N—Channel沟道,120V；230A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4.5V；是一款采用SGT技术单极N型MOSFET，应用于工业电源模块、电动汽车充电桩、工业自动化设备等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGQT11202
- 商品编号
- C42412520
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.952克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器