VBPB1102N
VBPB1102N
- 描述
- TO3P;N—Channel沟道,100V;65A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;是一款采用Trench技术单通道N沟道场效应管,适用于电源模块、电动汽车充电桩等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBPB1102N
- 商品编号
- C42412514
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-隔离式DC/DC转换器
