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VBFB1102N
VBFB1102N
- 描述
- TO251；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N沟道功率MOSFET，适用于各种功率电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB1102N
- 商品编号
- C42412515
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合2002/95/EC号欧盟限制有害物质指令(RoHS)
应用领域
- 初级侧开关