- 引脚图
- 焊盘图
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VBFB1102N
VBFB1102N
- 描述
- TO251；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N沟道功率MOSFET，适用于各种功率电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB1102N
- 商品编号
- C42412515
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合2002/95/EC号欧盟限制有害物质指令(RoHS)
应用领域
- 初级侧开关