- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBGP1102
N沟道 100V 180A
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,100V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SGT技术单N型场效应晶体管，适用于各种需要高电压、大电流和低导通电阻的应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGP1102
- 商品编号
- C42412507
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 超结沟槽(SGT)技术功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交流/直流开关模式电源
- 照明
- 同步整流
- 直流/直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流/交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器