- 引脚图
- 焊盘图
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VBN1101N
VBN1101N
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管，适用于电动汽车充电桩，工业变频器等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBN1101N
- 商品编号
- C42412511
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 665pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流-直流转换器