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VBN1101N
VBN1101N
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管，适用于电动汽车充电桩，工业变频器等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBN1101N
- 商品编号
- C42412511
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流-直流转换器