VBGE1101N

VBGE1101N

描述

TO252；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SGT技术单通道N型功率MOSFET，适用于各种高性能电源和功率管理应用。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

VBGE1101N

商品编号

C42412512

商品封装

TO-252​

包装方式

编带

商品毛重

0.437克(g)