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VBGE1101N
VBGE1101N
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SGT技术单通道N型功率MOSFET，适用于各种高性能电源和功率管理应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGE1101N
- 商品编号
- C42412512
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器