- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBGQA1107
VBGQA1107
- 描述
- DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；75A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款采用SGT技术单极性N型MOSFET，适用于适用于需要高性能、高可靠性和高效率的功率电子模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGQA1107
- 商品编号
- C42412510
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 结温 175 °C
- SGT 技术功率 MOSFET
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 原边开关
- 同步整流
- DC/AC逆变器
- LED背光