- 引脚图
- 焊盘图
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VBMB1806
VBMB1806
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=6.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.4~2.6V；是一款采用Trench技术单N沟道功率MOSFET，适用于电源模块、电机驱动等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB1806
- 商品编号
- C42412505
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.855nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 原边开关
- 同步整流
- DC/AC逆变器
- LED背光