温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBGE1805
VBGE1805
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,80V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SGT技术单N型场效应管，适用于多个电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGE1805
- 商品编号
- C42412504
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 超结沟槽(SGT)技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-不间断电源-交流/直流开关电源-照明-同步整流-直流/直流转换器-电机驱动开关-直流/交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器