- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM1400
N沟道 40V 409A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,40V；409A；RDS(ON)=0.84mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；是一款采用Trench技术单N型MOSFET，适用于电源模块、工业控制模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1400
- 商品编号
- C42412486
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 409A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.84mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC | |
| 输入电容(Ciss) | 11.938nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 282pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11.163nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 电源