VBPB1606
VBPB1606
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- 描述
- TO3P;N—Channel沟道,60V;150A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5~4.5V;是一款采用Trench技术单N沟道场效应管,适用于电动汽车、工业控制等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBPB1606
- 商品编号
- C42412494
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- N沟道MOSFET
