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VBI2260
P沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- SOT89-3；P—Channel沟道,-200V；-1.8A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5~-4.5V；是一款采用Trench技术单P型场效应晶体管，适用于多个电子领域和模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBI2260
- 商品编号
- C42412477
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备
- 负载开关
- 充电器开关
- 电池开关
- DC/DC转换器