- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBTA1290
VBTA1290
- 描述
- SC75-3；N—Channel沟道,20V；2A；RDS(ON)=91mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.6~1.3V；是一款采用Trench技术单体N沟道MOSFET，适用于低功耗电子模块、环保节能模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBTA1290
- 商品编号
- C42412480
- 商品封装
- SC-75A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 91mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义,无卤素
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-便携式设备-负载开关-电池开关-电机、继电器和螺线管的负载开关