- 引脚图
- 焊盘图
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VBJ1311
VBJ1311
- 描述
- SOT223；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.8~2.5V；是一款采用Trench技术单N型MOSFET，适用于电源管理模块、充放电控制器、电流控制模块等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBJ1311
- 商品编号
- C42412482
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100%进行Rg测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-笔记本电脑CPU核心-高端开关