- 引脚图
- 焊盘图
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VBGQA2405
VBGQA2405
- 描述
- DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-40V；-80A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款采用SGT技术高性能单P型场效应晶体管，适用于各种功率电路设计。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGQA2405
- 商品编号
- C42412471
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 结温175°C
- SGT技术功率MOSFET
- 材料分类:符合RoHS标准
- DFN5X6 P沟道MOSFET