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VBM2311
VBM2311
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9.2mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=-1.4~-2.5V；是一款采用Trench技术P型功率场效应晶体管，适用于电源管理模块、电动车辆控制等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2311
- 商品编号
- C42412473
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-笔记本电脑适配器开关