- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBQF2228
VBQF2228
- 描述
- QFN8(3X3)；P—Channel沟道,-20V；-12A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.8~-1V；是一款采用Trench技术单P沟道场效应晶体管，适用于电源管理模块、信号放大模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF2228
- 商品编号
- C42412476
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.102克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 热增强型DFN3X3封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关