- 引脚图
- 焊盘图
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VBJ2328
VBJ2328
- 描述
- SOT223；P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=43mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-3V；是一款采用Trench技术单PMOSFET器件，广泛应用于各种电子领域和应用中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBJ2328
- 商品编号
- C42412474
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-直流-直流转换器-负载开关-适配器开关