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VBK264K
P沟道 耐压:60V 电流:135mA
- 描述
- SC70-3；P—Channel沟道,-135V；-50A；RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款采用Trench技术单P通道功率MOSFET，适用于移动设备模块、医疗设备模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBK264K
- 商品编号
- C42412467
- 商品封装
- SOT-323(SC-70)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义,无卤
- 沟槽功率 MOSFET
- 高端开关
- 低导通电阻:4 Ω
- 低阈值:-2 V(典型值)
- 快速开关速度:20 ns(典型值)
- 低输入电容:20 pF(典型值)
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 固态继电器