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VBMB2201K实物图
  • VBMB2201K商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBMB2201K

VBMB2201K

描述
TO220F;P—Channel沟道,-200V;-7A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;是一款采用Trench技术单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,适用于电动汽车充电桩、太阳能逆变器等领域。
商品型号
VBMB2201K
商品编号
C42412457
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.612克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品特性

  • 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
  • 沟槽型功率MOSFET
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性负载开关(UIS)测试
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

应用领域

-电源开关-DC/DC转换器

数据手册PDF