- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBMB2201K
VBMB2201K
- 描述
- TO220F；P—Channel沟道,-200V；-7A；RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款采用Trench技术单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，适用于电动汽车充电桩、太阳能逆变器等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB2201K
- 商品编号
- C42412457
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.255nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- 沟槽型功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器