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VBM2151M
VBM2151M
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-150V；-20A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款采用Trench技术单PMOSFET器件，适用于电机驱动领域、功率开关模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2151M
- 商品编号
- C42412460
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-电源开关-直流-直流转换器-P沟道MOSFET