温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM2157N
VBM2157N
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-150V；-40A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；是一款采用Trench技术单P沟道功率MOSFET，适用于电动汽车、高功率开关电源等领域和模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2157N
- 商品编号
- C42412459
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关