- 引脚图
- 焊盘图
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VBM2157N
VBM2157N
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-150V；-40A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；是一款采用Trench技术单P沟道功率MOSFET，适用于电动汽车、高功率开关电源等领域和模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2157N
- 商品编号
- C42412459
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 301pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关