- 引脚图
- 焊盘图
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VBA1154N
VBA1154N
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,150V；7.7A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1154N
- 商品编号
- C42412419
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 极低的 Qqd,可降低开关损耗
- 100% 进行 Rg 测试
- 100% 进行雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
- N 沟道 MOSFET