- 引脚图
- 焊盘图
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VBMB16I10
VBMB16I10
- 描述
- IGBT；TO220F；600/650V；10A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种电子领域和应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB16I10
- 商品编号
- C42412427
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 30A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.3nF | |
| 输出电容(Coes) | 36pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 26pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 115ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 74ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 极低的集电极-发射极饱和电压
- 低关断损耗
- 高速开关
- 最高结温175℃
- 超低栅极电荷(Qθ)
- 雪崩能量额定(UIS)
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯
- 荧光镇流器照明