- 引脚图
- 焊盘图
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VBM16I20
VBM16I20
- 描述
- IGBT；TO220；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种电子领域和应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM16I20
- 商品编号
- C42412448
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.2nF | |
| 输出电容(Coes) | 91pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 32pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 175ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 70ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 极低的集电极-发射极饱和压降
- 低关断损耗
- 高速开关
- 最高结温 175°C
- 超低栅极电荷
- 额定雪崩能量
应用领域
- 电信电源
- 照明
- 计算机电源
- 工业应用
- 可再生能源和开关模式电源