- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM2251K
P沟道 250V 6A
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-250V；-6A；RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款采用Trench技术一款单P型沟道MOSFET，适合用于各种需要控制功率的电路和模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2251K
- 商品编号
- C42412451
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 先进制程技术
- 动态dV/dt额定值
- 150 °C工作温度
- 快速开关
- P沟道
- 全雪崩额定
- 提供无铅(Pb)版本
- 符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备
- 负载开关
- 电池开关
- 充电器开关