- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBJ2208M
VBJ2208M
- 描述
- SOT223；P—Channel沟道,-200V；-4A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=-2.5~-4.5V；是一款采用Trench技术单P型场效应晶体管，为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBJ2208M
- 商品编号
- C42412454
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
-表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-P沟道-快速开关-易于并联-符合RoHS标准-无卤可选
应用领域
- DC/DC 电源中的有源钳位电路