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VBI2201K
P沟道200V（D - S）沟槽功率MOSFET，超低导通电阻，小尺寸，无卤且符合RoHS标准，适用于DC/DC电源中的有源钳位电路
- 描述
- SOT89-3；P—Channel沟道,-200V；-1.8A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5~-4.5V；是一款采用Trench技术单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高压、高功率和高性能电子模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBI2201K
- 商品编号
- C42412455
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.088克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 超低导通电阻
- 小尺寸
应用领域
- DC/DC 电源中的有源钳位电路