VBP112MC100-4L
VBP112MC100-4L
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- 描述
- SIC；TO247；N—Channel沟道,1200V；60A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V；Vth=2.5~4.5V；是一款金属氧化物半导体场效应晶体管，采用SiC技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP112MC100-4L
- 商品编号
- C42412450
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.072克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低优值系数 R_on×Q_g
- 低输入电容 C_iss
- 降低的开关与导通损耗
- 超低栅极电荷 Q_g
- 雪崩能量额定值
应用领域
- 服务器与电信电源
- 开关电源
- 功率因数校正电源
- DC/DC转换器