- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBE16I10
VBE16I10
- 描述
- IGBT；TO252；600/650V；10A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE16I10
- 商品编号
- C42412434
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 30A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.8nF | |
| 输出电容(Coes) | 80pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 22pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 50ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 124ns | |
| 导通损耗(Eon) | 0.0006uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 0.0003uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 90ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 极低的集电极 - 发射极饱和电压（VCEsat）
- 低关断损耗
- 高速开关
- 最高结温175℃
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 消费和计算
- 工业