VBPB16I20
VBPB16I20
- 描述
- IGBT；TO3P；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于需要中等电压和电流、快速开关的应用场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBPB16I20
- 商品编号
- C42412444
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.8nF | |
| 输出电容(Coes) | 33pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 38pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 13ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 112ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 140ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 极低饱和压降
- 低关断损耗
- 高速开关
- 最高结温 175°C
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 电信电源
- 高强度气体放电灯镇流器
- 荧光灯镇流器
- ATX电源
- 焊接设备