VBP112MI50
VBP112MI50
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- 描述
- IGBT；TO247；1200V；50A；VCEsat_1.8V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP112MI50
- 商品编号
- C42412429
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 800W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5.5nF | |
| 输出电容(Coes) | 210pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 58pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 46ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 167ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 63ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 极低的集电极-发射极饱和电压
- 低关断损耗
- 高速开关
- 最高结温175°C
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
应用领域
- 电信
- 照明
- 消费和计算
- 工业
- 可再生能源
- 开关模式电源