- 引脚图
- 焊盘图
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VBA1810S
VBA1810S
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,80V；13A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于一般功率电路和消费电子产品中的功率开关解决方案。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1810S
- 商品编号
- C42412420
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.531nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 382pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 超级沟槽技术功率MOSFET
- 出色的栅极电荷x导通电阻Rds(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻Rds(on)
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
-直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步N沟道MOSFET