VBP112MI25
VBP112MI25
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- IGBT；TO247；1200V；25A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种电子领域和应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP112MI25
- 商品编号
- C42412425
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 25A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 75A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.9nF | |
| 输出电容(Coes) | 210pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 52pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 55ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 164ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 73ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 极低的集电极-发射极饱和电压
- 低关断损耗
- 高速开关
- 最高结温 175℃
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值（非钳位感性开关）
应用领域
- 电信
- 消费与计算
- 工业
- 可再生能源
- 开关模式电源