- 引脚图
- 焊盘图
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VBZC8822
VBZC8822
- 描述
- TSSOP8；2个N—Channel沟道,20V；6.6A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；是一款共源极N+NMOSFET，采用Trench技术制造，适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZC8822
- 商品编号
- C42412423
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
-提供无卤选项-沟槽功率MOSFET
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域